型号: SUD50N02-09P-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 20A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 16nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1300pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 39.5W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 14 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：柯先生
电话：15072058203
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：李艳丽
电话：022-87892512
Q Q:
联系人：黄镇木
电话：15915504792
Q Q:
联系人：王先生
电话：13533889390
Q Q:
