型号: SUD50N03-12P-GE3
功能描述: MOSFET 30V 0.012ohm@10V 17.5A N-CH
制造商: Vishay Semiconductors
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Vishay Semiconductors
Id-连续漏极电流: 17.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 28 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 46.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-2
封装: Reel
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 15 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 15 ns
系列: Power MOSFET
工厂包装数量: 2000
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：深圳市众芯创科技有限公司
电话：13554783822
Q Q:
联系人：沈绪根
电话：18148590336
Q Q:
联系人：陈少铭
电话：13632828979
Q Q:
