型号: SUD70N02-03P-E3
功能描述: Trans MOSFET N-CH 20V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK
制造商: vishay / siliconix
包装： 3DPAK
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 70 A
RDS -于： 3.3@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 15 ns
典型上升时间： 11 ns
典型关闭延迟时间： 45 ns
工作温度： -55 to 175 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Rail / Tube
最大门源电压： ±20
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 175
标准包装名称： DPAK
最低工作温度： -55
渠道类型： N
最大漏源电阻： 3.3@10V
最大漏源电压： 20
每个芯片的元件数： 1
供应商封装形式： DPAK
最大功率耗散： 8300
最大连续漏极电流： 70
引脚数： 3
铅形状： Gull-wing
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