型号:  SUM110N06-04L-E3

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263

制造商:  vishay / siliconix

包装：  3TO-263

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  110 A

RDS -于：  3.5@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  20 ns

典型上升时间：  135 ns

典型关闭延迟时间：  80 ns

典型下降时间：  150 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Rail / Tube

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  9.65(Max)

PCB：  2

最大功率耗散：  3750

最大漏源电压：  60

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  3.5@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  TO-263

标准包装名称：  D2PAK

最高工作温度：  175

渠道类型：  N

包装长度：  10.41(Max)

引脚数：  3

包装高度：  4.83(Max)

最大连续漏极电流：  110

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

单位包：  0

最小起订量：  1