型号: SUM110N06-04L-E3
功能描述: Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263
制造商: vishay / siliconix
包装: 3TO-263
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 60 V
最大连续漏极电流: 110 A
RDS -于: 3.5@10V mOhm
最大门源电压: ±20 V
典型导通延迟时间: 20 ns
典型上升时间: 135 ns
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型下降时间: 150 ns
工作温度: -55 to 175 °C
安装: Surface Mount
标准包装: Rail / Tube
最大门源电压: ±20
包装宽度: 9.65(Max)
PCB: 2
最大功率耗散: 3750
最大漏源电压: 60
欧盟RoHS指令: Compliant
最大漏源电阻: 3.5@10V
每个芯片的元件数: 1
最低工作温度: -55
供应商封装形式: TO-263
标准包装名称: D2PAK
最高工作温度: 175
渠道类型: N
包装长度: 10.41(Max)
引脚数: 3
包装高度: 4.83(Max)
最大连续漏极电流: 110
标签: Tab
铅形状: Gull-wing
单位包: 0
最小起订量: 1
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