型号: SUM110N10-08
功能描述: Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263
制造商: vishay / siliconix
包装： 3TO-263
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 100 V
最大连续漏极电流： 110 A
RDS -于： 8.5@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 20 ns
典型上升时间： 110 ns
典型关闭延迟时间： 65 ns
典型下降时间： 100 ns
工作温度： -55 to 200 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Rail / Tube
最大门源电压： ±20
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最高工作温度： 200
标准包装名称： D2PAK
最低工作温度： -55
渠道类型： N
最大漏源电阻： 8.5@10V
最大漏源电压： 100
每个芯片的元件数： 1
供应商封装形式： TO-263
最大功率耗散： 3750
最大连续漏极电流： 110
引脚数： 3
铅形状： Gull-wing
单位包： 0
最小起订量： 1
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