型号: SUM50N06-16L-E3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 40nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs: 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1325pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds: 25V
功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），93W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 16 毫欧 @ 20A，10V
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: TO-263（D2Pak）
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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