型号: SUM75N15-18P-E3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 100nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4180pF @ 75V
功率耗散（最大值）: 3.12W（Ta），312.5W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 18 毫欧 @ 20A，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: TO-263（D2Pak）
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：陈远红
电话：15999652886
Q Q:
联系人：谢文舟
电话：13670501151
Q Q:
联系人：孙
Q Q:
