型号: SUP45P03-09-GE3
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay
系列： SUP
商标名： TrenchFET
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 45A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 90nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2700pF @ 15V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 73.5W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 8.7 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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