型号: SVD501DEAGTR
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：1V @ 8uA 漏源导通电阻：700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：800mW(Tc) 类型：N沟道
制造商: SILAN(士兰微)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 30mA(Tc)
栅源极阈值电压: 1V @ 8uA
漏源导通电阻: 700Ω @ 3mA,0V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 800mW(Tc)
类型: N沟道
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