型号: SVF2N60CNF
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：16W(Tc) 类型：N沟道
制造商: SILAN(士兰微)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.2Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 16W(Tc)
类型: N沟道
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13510508629
Q Q:
联系人：庄先生
电话：13417106601
Q Q:
联系人：丁
电话：13570886510
Q Q:
