型号: SZNUD3112LT1G
功能描述: MOSFET MI SOT23 12V LOAD DRVR
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 16 V
Id-连续漏极电流: 500 mA
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 6 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 225 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: NUD3112
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ON Semiconductor
下降时间: 36 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 61 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 8 mg
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