型号:  SIHF15N60E-GE3

功能描述:   MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP

制造商:  VISHAY

单位包：  1000

最小起订量：  1000

FET特点：  Standard

封装：  Bulk

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  15A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 250mA

漏极至源极电压（Vdss）：  600V

标准包装：  1,000

供应商设备封装：  TO-220 Full Pack

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  280 mOhm @ 8A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  34W

封装/外壳：  TO-220-3 Full Pack

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1350pF @ 100V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  78nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

安装风格：  Through Hole

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  15 A

系列：  E

RDS（ON）：  280 mOhms

功率耗散：  34 W

最低工作温度：  - 55 C

正向跨导 - 闵：  4.6 S

栅极电荷Qg：  76 nC

典型关闭延迟时间：  35 ns

上升时间：  51 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  600 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  33 ns

Continuous Drain Current Id：  :15A

Drain Source Voltage Vds：  :600V

On Resistance Rds(on)：  :0.23ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :2V

功耗：  :34W

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :TO-220FP

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

Weight (kg)：  0.001

Tariff No.：  85412900