型号:  SIHP22N60E-GE3

功能描述:   MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

制造商:  VISHAY

单位包：  1000

最小起订量：  1000

FET特点：  Standard

封装：  Tube

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  21A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：  600V

标准包装：  1,000

供应商设备封装：  TO-220AB

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  180 mOhm @ 11A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  227W

封装/外壳：  TO-220-3

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1920pF @ 100V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  86nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

安装风格：  Through Hole

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single

连续漏极电流：  21 A

系列：  E

RDS（ON）：  180 mOhms

功率耗散：  227 W

最低工作温度：  - 55 C

正向跨导 - 闵：  6.4 S

栅极电荷Qg：  86 nC

典型关闭延迟时间：  59 ns

上升时间：  68 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  600 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  54 ns

栅源电压（最大值）：  �20 V

安装：  Through Hole

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-220AB

引脚数：  3 +Tab

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

通道模式：  Enhancement

漏源导通电压：  600 V

弧度硬化：  No

Continuous Drain Current Id：  :21A

Drain Source Voltage Vds：  :600V

On Resistance Rds(on)：  :0.15ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :2V

No. of Pins：  :3

Weight (kg)：  0

Tariff No.：  85412900

功耗：  :227W

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :TO-220AB

MSL：  :MSL 1 - Unlimited