型号:  SIS443DN-T1-GE3

功能描述:   MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8

制造商:  VISHAY

单位包：  3000

最小起订量：  3000

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  13.3A (Ta), 35A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.3V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：  40V

标准包装：  3,000

供应商设备封装：  PowerPAK® 1212-8

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  1107 mOhm @ 15A, 10V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  3.7W

封装/外壳：  PowerPAK® 1212-8

输入电容（Ciss ） @ VDS：  4370pF @ 20V

其他名称：  SIS443DN-T1-GE3TR

闸电荷（Qg ） @ VGS：  135nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

安装风格：  SMD/SMT

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  P-Channel

源极击穿电压：  20 V

连续漏极电流：  - 35 A

正向跨导 - 闵：  50 S

RDS（ON）：  16 mOhms

功率耗散：  52 W

下降时间：  10 ns

最低工作温度：  - 55 C

典型关闭延迟时间：  48 ns

上升时间：  10 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  - 40 V

RoHS：  RoHS Compliant

栅极电荷Qg：  41.5 nC

Continuous Drain Current Id：  :-35A

Drain Source Voltage Vds：  :-40V

On Resistance Rds(on)：  :0.0097ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :-10V

Threshold Voltage Vgs：  :-1V

功耗：  :52W

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :PowerPAK 1212

No. of Pins：  :8

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

Weight (kg)：  0.002

Tariff No.：  85412900