型号:  T2G6000528-Q3

功能描述:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz

制造商:  Qorvo

制造商:  Qorvo

产品种类:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管类型:  HEMT

技术:  GaN SiC

增益:  15 dB

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  -

Vgs-栅源极击穿电压 :  -

Id-连续漏极电流:  650 mA

输出功率:  10 W

最大漏极/栅极电压:  -

最小工作温度:  -

最大工作温度:  -

Pd-功率耗散:  12.5 W

安装风格:  SMD/SMT

封装:  Tray

应用:  Military Radar, Professional and Military Radio Communications

配置:  Single

工作频率:  DC to 6 GHz

系列:  T2G

商标:  Qorvo

正向跨导 - 最小值:  -

开发套件:  T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  RF JFET Transistors

工厂包装数量:  100

子类别:  Transistors

零件号别名:  1099997