型号: T2N7002BK
功能描述: Toshiba 双 N沟道 MOSFET T2N7002BK, 400 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 400 mA
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 1.75 0hms
最大栅阈值电压： 2.1V
最小栅阈值电压： 1.1V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： SOT-23
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
通道模式： 增强
最大功率耗散： 1 W
典型接通延迟时间： 5.5 ns
典型关断延迟时间： 38 ns
典型输入电容值@Vds： 26 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs： 0.39 nC @ 4.5 V
每片芯片元件数目： 2
宽度： 1.3mm
长度： 2.9mm
高度： 0.9mm
尺寸： 2.9 x 1.3 x 0.9mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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