型号: T2N7002BK
功能描述: Toshiba 双 N沟道 MOSFET T2N7002BK, 400 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 400 mA
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 1.75 0hms
最大栅阈值电压: 2.1V
最小栅阈值电压: 1.1V
最大栅源电压: ±20 V
封装类型: SOT-23
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 3
通道模式: 增强
最大功率耗散: 1 W
典型接通延迟时间: 5.5 ns
典型关断延迟时间: 38 ns
典型输入电容值@Vds: 26 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs: 0.39 nC @ 4.5 V
每片芯片元件数目: 2
宽度: 1.3mm
长度: 2.9mm
高度: 0.9mm
尺寸: 2.9 x 1.3 x 0.9mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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