型号:  T591B336M010ATE080

功能描述:  T591, Tantalum, Polymer Tantalum, Commercial Grade, 33 uF, 20%, 10 VDC, SMD, Polymer, Molded, Low ESR, 80 mOhms, 3528, Height Max = 2.1mm

制造商:  KEMET Electronics

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  1411

尺寸 ：  0.138" 长 x 0.110" 宽（3.50mm x 2.80mm）

高度 - 安装（最大值）：  0.079"（2.00mm）

制造商尺寸代码：  B

特性：  通用

类型：  模制

ESR（等效串联电阻）：  80 毫欧

不同温度时的使用寿命：  105°C 时为 2000 小时

FET 类型：  N 沟道

技术：  GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 1.2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  2.2nC @ 5V

Vgs（最大值）：  +6V，-4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  220pF @ 50V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  30 毫欧 @ 6A，5V

底座长度：  1.1mm MIN

底座宽度：  0.4mm ±0.15mm

描述：  SMD, Polymer, Molded, Low ESR

电介质：  Polymer Tantalum

DF耗散系数：  8.00% 120Hz 25C

故障率：  N/A

特征：  Automotive

Footprint：  3528

宽度：  3.5mm ±0.2mm

漏泄电流：  33 uA (5min 25C)

MSL：  3

引线间距：  0.5mm REF

包装：  T&R, 178mm

Qualifications：  AEC-Q200 (Limited 500 Hrs 85C/85% RH/Ur)

R：  1mm REF

额定温度：  105C

电阻：  80mOhms(100kHz25C)

纹波电流：  1260 mAmps (100kHz 45C), 1134 mAmps (85C), 315 mAmps (125C)

RoHS：  Yes

引脚间距：  0.8mm ±0.3mm

T：  0.13mm REF

工作温度：  -55°C ~ 125°C

Termination：  Tin

引脚宽度：  2.8mm ±0.2mm

单位重量：  94.85 mg

X：  0.1mm ±0.1mm

电压：  10V

偏差：  ±20%

容值：  33uF

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs