型号: TC58CYG0S3HQAIE
功能描述:
制造商: Toshiba Memory America, Inc.
存储器类型： 非易失
存储器格式： 闪存
技术： FLASH - NAND （SLC）
存储容量： 1Gb （128M x 8）
时钟频率： 104MHz
访问时间： 155µs
存储器接口： SPI
电压 - 电源： 1.7 V ~ 1.95 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装： 16-SOP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：李先生
电话：18373518225
Q Q:
联系人：李先生
Q Q:
联系人：蔡
Q Q:
