型号: TC58NVG0S3HBAI6
功能描述: 闪存 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 闪存
RoHS: 是
存储类型: NAND
存储容量: 1 Gbit
速度: 25 ns
接口类型: Parallel
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.7 V
电源电流—最大值: 30 mA
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VFBGA-67
封装: Tray
结构: Block Erase
商标: Toshiba
数据总线宽度: 8 bit
清除时间: 2.5 ms
最大时钟频率: -
组织: 128 M x 8
定时类型: Synchronous
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
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联系人：杨先生
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联系人：陈玲玲
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联系人：廖小姐
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联系人：陈泽辉
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联系人：付强
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联系人：程经理
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