型号: TC58NYG1S3HBAI6
功能描述: 闪存 1.8V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 闪存
RoHS: 是
存储类型: NAND
存储容量: 2 Gbit
速度: 25 ns
接口类型: Parallel
电源电压-最大: 1.95 V
电源电压-最小: 1.7 V
电源电流—最大值: 30 mA
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VFBGA-67
封装: Tray
结构: Block Erase
商标: Toshiba
数据总线宽度: 8 bit
清除时间: 3.5 ms
最大时钟频率: -
组织: 256 M x 8
定时类型: Synchronous
联系人：王静
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