型号:  TC6215TG-G

功能描述:  MOSFET N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET

制造商:  Microchip Technology

制造商:  Microchip

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOIC-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  150 V

Rds On-漏源导通电阻:  4 Ohms, 7 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V, 2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.65 mm

长度:  4.9 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  TC621

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

类型:  Enhancement Mode Dual Channel N & P

宽度:  3.8 mm

商标:  Microchip Technology

下降时间:  11.3 ns, 11.1 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2.3 ns, 2.3 ns

工厂包装数量:  3300

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  17.2 ns, 16.2 ns

典型接通延迟时间:  2.5 ns, 2.4 ns

单位重量:  85 mg