型号:  TC6320TG-G

功能描述:  Microchip Technology/分立半导体产品

制造商:  Microchip Technology

数据列表：  TC6320

PCN 组件/产地：  Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Assembly Site Addition 17/Feb/2015 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Addition 08/Apr/2015 Assembly Site Addition 08/Apr/2015

PCN 封装：  Reel Design Update 07/May/2015

标准包装：  3,300

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 阵列

系列：  -

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  N 和 P 沟道

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  -

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  7 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  110pF @ 25V

功率 - 最大值：  -

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：  8-SOIC

其它名称：  TC6320TG-G-NDTC6320TG-GTR