型号: TC7SZ17FE,LM
功能描述: IC GATE L-MOS ESV
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
输出 - 电流高，低： 32mA, 32mA
安装类型： Surface Mount
每个元件的位元数： 1
逻辑类型： Schmitt Trigger - Buffer
供应商设备封装： ESV
封装： Tape & Reel (TR)
工作温度： -40°C ~ 85°C
电压 - 电源： 1.65 V ~ 5.5 V
标准包装： 4,000
元件数： 1
其他名称： TC7SZ17FELMTR
封装/外壳： SOT-553
RoHS指令： Lead free / RoHS Compliant
极性： Non-Inverting
安装风格： SMD/SMT
输出线路数量： 1
输入行数： 1
高电平输出电流： - 32 mA
最大功率耗散： 150 mW
低电平输出电流： 32 mA
电源电压 - 最大： 5.5 V
最低工作温度： - 40 C
封装/外壳： ESV-5
传播延迟时间： 3.1 ns
电源电压 - 最小： 1.65 V
最高工作温度： + 85 C
电源电流： 2 uA
RoHS： RoHS Compliant
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