型号:  TC8220K6-G

功能描述:  MOSFET 2PR N- & PCH ENHANCE MODE MOSFET

制造商:  Microchip Technology

制造商:  Microchip

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-12

通道数量:  4 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  2.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  6 Ohms, 7 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Quad

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

产品:  MOSFET Small Signal

晶体管类型:  2 N-Channel, 2 P-Channel

商标:  Microchip Technology

正向跨导 - 最小值:  400 mS, 400 mS

下降时间:  15 ns, 15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15 ns, 15 ns

工厂包装数量:  3300

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  20 ns, 20 ns

典型接通延迟时间:  10 ns, 10 ns

单位重量:  41.400 mg