型号: TF252TH-5-TL-H
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装: 8,000
类别: 分立半导体产品
家庭: JFET(结点场效应
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: N 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS): -
漏源极电压(Vdss): -
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss): 210µA @ 2V
漏极电流(Id) - 最大值: 1mA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关): 100mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 3.1pF @ 2V
电阻 - RDS(开): -
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 3-VTFP
功率 - 最大值: 100mW
其它名称: 869-1205-2
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