型号: TF262TH-5-TL-H
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 8,000
类别： 分立半导体产品
家庭： JFET（结点场效应
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： -
漏源极电压（Vdss）： -
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 210µA @ 2V
漏极电流（Id） - 最大值： 1mA
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 200mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 3.5pF @ 2V
电阻 - RDS（开）： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-SMD，扁平引线
供应商器件封装： VTFP
功率 - 最大值： 100mW
联系人：陈敏
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Q Q:
联系人：李先生
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