型号: TGF2025
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: pHEMT
技术: GaAs
增益: 14 dB
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 15 V
Id-连续漏极电流: 81 mA
最大漏极/栅极电压: 12 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 mW
安装风格: SMD/SMT
封装: Gel Pack
配置: Single
工作频率: 20 GHz
工作温度范围: - 65 C to + 150 C
产品: RF JFET
系列: TGF
类型: GaAs pHEMT
商标: Qorvo
正向跨导 - 最小值: 97 mS
NF—噪声系数: 0.9 dB
P1dB - 压缩点: 24 dBm
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
零件号别名: 1098611
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Q Q:
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