型号: TGF3015-SM
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
制造商: Qorvo
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 17.1 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.7 V
Id-连续漏极电流: 557 mA
输出功率: 11 W
Pd-功率耗散: 15.3 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-EP-16
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 0.03 GHz to 3 GHz
商标: Qorvo
开发套件: TGF3015-SM-EVB1
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
零件号别名: 1120419
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