型号: TGF4112-EPU
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: TriQuint (Qorvo)
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型: HFET
技术: GaAs
增益: 12.7 dB
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 22 V
Id-连续漏极电流: 2.94 A
输出功率: 6 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 12-Pin-Die
商标: TriQuint (Qorvo)
正向跨导 - 最小值: 1.98 S
工作频率: 2.3 GHz
P1dB - 压缩点: 6 W
联系人：杨先生
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Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
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