型号: TGF4350-EPU
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: TriQuint (Qorvo)
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管类型: pHEMT
技术: GaAs
增益: 14.5 dB at 10 GHz
Vds-漏源极击穿电压: 7 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 8 V
Id-连续漏极电流: 141 mA
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 600 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die 6 Pin
商标: TriQuint (Qorvo)
NF—噪声系数: 1.2 dB
工作频率: 22 GHz
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