型号: TH58100FT
功能描述: TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
制造商: TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
标准包装: 60
类别: 集成电路 (IC)
家庭: 存储器
系列: -
格式 - 存储器: 闪存
存储器类型: 闪存 - NAND
存储容量: 1G（128M x 8）
速度: 50ns
接口: 串行
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商设备封装: 48-TSOP I
包装: 托盘
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