型号: TH58BYG2S3HBAI6
功能描述: NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
制造商: Toshiba Memory
制造商: Toshiba
产品种类: NAND闪存
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: BGA-63
存储容量: 4 Gbit
接口类型: Parallel
组织: 512 M x 8
数据总线宽度: 8 bit
电源电压-最小: 1.7 V
电源电压-最大: 1.95 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tray
存储类型: NAND
产品: NAND Flash
商标: Toshiba Memory
湿度敏感性: Yes
产品类型: NAND Flash
工厂包装数量: 338
子类别: Memory & Data Storage
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