型号: TIG065E8-TL-H
功能描述: IGBT 晶体管 HIGH POWER SWITCHING
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: ECH-8
安装风格: SMD/SMT
配置: Single Quad Collector Triple Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 400 V
集电极—射极饱和电压: 4.2 V
栅极/发射极最大电压: 4 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
系列: TIG065E8
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 150 A
商标: ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 10 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: IGBTs
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