型号: TIP112 TIN/LEAD
功能描述:
制造商: Central Semiconductor
晶体管类型： NPN - 达林顿
电压 - 集射极击穿（最大值）： 100V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 2.5V @ 8mA，2A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 1000 @ 1A，4V
频率 - 跃迁： 25MHz
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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