型号: TIP112 TIN/LEAD
功能描述:
制造商: Central Semiconductor
晶体管类型: NPN - 达林顿
电压 - 集射极击穿(最大值): 100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 2.5V @ 8mA,2A
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 1000 @ 1A,4V
频率 - 跃迁: 25MHz
工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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