型号: TIS75_J35Z
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： JFET（结点场效应
系列： -
包装： 散装
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 30V
漏源极电压（Vdss）： -
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 8mA @ 15V
漏极电流（Id） - 最大值： -
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 800mV @ 4nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 18pF @ 10V（VGS）
电阻 - RDS（开）： 60 欧姆
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装： TO-92-3
功率 - 最大值： 350mW
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：13554802629
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：林启旭
电话：15815591278
Q Q:
联系人：汪红兵
电话：18211432408
Q Q:
联系人：苏先生
电话：15361668939
Q Q:
