型号: TJ120F06J3(TE24L,Q
功能描述: MOSFET P-ch -60V -120A TO-220SM(W)
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 1,000
FET 型 ： MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点： Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）： 60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 120A
Rds（最大）@ ID，VGS： 8 mOhm @ 60A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id： 3V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS： 258nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的： 11640pF @ 10V
功率 - 最大： 300W
安装类型 ： Surface Mount
包/盒 ： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装： TO-220SM(W)
包装材料 ： Tape & Reel (TR)
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