型号: TJ15S06M3L(T6L1,NQ
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs: 10V
Vgs（最大值）: +10V，-20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1770pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds: 10V
功率耗散（最大值）: 41W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 50 毫欧 @ 7.5A，10V
工作温度: 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: DPAK+
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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