型号: TJ40S04M3L
功能描述: Toshiba P沟道 MOSFET TJ40S04M3L, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
制造商: Toshiba
通道类型: P
最大连续漏极电流: 40 A
最大漏源电压: 40 V
最大漏源电阻值: 13 m0hms
最大栅阈值电压: 3V
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+10 V
封装类型: DPAK
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
最大功率耗散: 68 W
最高工作温度: +175 °C
长度: 6.5mm
每片芯片元件数目: 1
高度: 2.3mm
正向二极管电压: 1.2V
汽车标准: AEC-Q101
典型栅极电荷@Vgs: 83 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 4140 pF @ -10 V
典型关断延迟时间: 465 ns
典型接通延迟时间: 63 ns
尺寸: 6.5 x 7 x 2.3mm
宽度: 7mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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