型号: TJ90S04M3L,LXHQ
功能描述: AEC-Q POWER MOSFET TRANSISTOR DP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: U-MOSVI
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 90A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 4.3 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 172nC @ 10V
Vgs（最大值）: +10V，-20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 7700pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 180W（Tc）
工作温度: 175°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK+
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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