型号: TK040Z65Z,S1F
功能描述: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 管件
系列: DTMOSVI
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 57A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 40 毫欧 @ 28.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 2.85mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 105nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 6250pF @ 300V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 360W（Tc）
工作温度: 150°C
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L
封装/外壳: TO-247-4
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：胡先生
电话：021-54888166
Q Q:
联系人：叶先生
电话：13923469428
Q Q:
联系人：陈伟
电话：18165719805
Q Q:
