型号: TK099V65Z,LQ
功能描述: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: DTMOSVI
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 99 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1.27mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 47nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2780pF @ 300V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 230W（Tc）
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（8x8）
封装/外壳: 4-VSFN 裸露焊盘
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：林女士
电话：13682587609
Q Q:
联系人：岳先生
电话：13923765194
Q Q:
联系人：刘新
电话：17673093037
Q Q:
