型号: TK100L60W,VQ
功能描述: MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PL-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 360 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 797 W
配置: Single
商标名: DTMOSIV
高度: 26 mm
长度: 20 mm
系列: TK100L60
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 125 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
工厂包装数量: 100
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 690 ns
典型接通延迟时间: 230 ns
单位重量: 7 g
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：Joyce
Q Q:
联系人：吴先生
电话：18620328525
Q Q:
联系人：陈小姐
Q Q:
