型号:  TK10A60D(STA4,Q,M)

功能描述:  MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220SIS-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  10 A

Rds On-漏源导通电阻:  750 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  25 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  45 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  DTMOSIV

高度:  15 mm

长度:  10 mm

系列:  TK10A60D

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

宽度:  4.5 mm

商标:  Toshiba

正向跨导 - 最小值:  1.5 S

下降时间:  15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  22 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  100 ns

典型接通延迟时间:  55 ns

单位重量:  6 g