型号:  TK10Q60W,S1VQ

功能描述:  MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-251-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  9.7 A

Rds On-漏源导通电阻:  327 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  20 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  80 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  DTMOSIV

高度:  6.1 mm

长度:  6.65 mm

系列:  TK10Q60W

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  2.3 mm

商标:  Toshiba

下降时间:  5.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  22 ns

工厂包装数量:  75

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  75 ns

典型接通延迟时间:  45 ns

单位重量:  4 g