型号: TK12A50D(STA4,Q,M)
功能描述: MOSFET N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 520 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK12A50D
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 55 ns
单位重量: 6 g
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