型号: TK12Q60W,S1VQ(S
功能描述: MOSFET,N-channel,600V,11.5A,IPAK
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 11.5 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 340 m0hms
最大栅阈值电压： 3.7V
最小栅阈值电压： 2.7V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： IPAK (TO-251)
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 开关调节器
最大功率耗散： 100 W
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 6.65 x 2.3 x 7.12mm
宽度： 2.3mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 25 nC @ 10 V
高度： 7.12mm
系列： DTMOSIV
典型输入电容值@Vds： 890 pF @ 300 V
典型关断延迟时间： 85 ns
典型接通延迟时间： 45 ns
正向二极管电压： 1.7V
最高工作温度： +150 °C
长度： 6.65mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈
电话：85265392
Q Q:
联系人：黄明新
电话：15659032429
Q Q:
联系人：l林先生
电话：13112552209
Q Q:
