型号: TK13A60D(Q,M)
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
制造商: Toshiba
连续漏极电流： 13 A
栅源电压（最大值）： �30 V
功率耗散： 50 W
安装： Through Hole
漏源导通电阻： 0.43 ohm
工作温度范围： -55C to 150C
包装类型： TO-220SIS
引脚数： 3 +Tab
极性： N
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
通道模式： Enhancement
漏源导通电压： 600 V
弧度硬化： No
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