型号:  TK14G65W5,RQ

功能描述:  MOSFET Power MOSFET N-Channel

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-262-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  13.7 A

Rds On-漏源导通电阻:  250 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  40 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  130 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  10.4 mm

长度:  10 mm

系列:  TK14G65W

宽度:  4.5 mm

商标:  Toshiba

下降时间:  7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  40 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  110 ns

典型接通延迟时间:  90 ns

单位重量:  4 g