型号: TK16G60W
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET TK16G60W, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 15.8 A
最大漏源电压: 600 V
最大漏源电阻值: 190 m0hms
最大栅阈值电压: 3.7V
最小栅阈值电压: 2.7V
最大栅源电压: ±30 V
封装类型: D2PAK
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 130 W
典型接通延迟时间: 50 ns
典型关断延迟时间: 100 ns
典型输入电容值@Vds: 1350 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs: 38 nC @ 10 V
每片芯片元件数目: 1
宽度: 10.27mm
长度: 10.35mm
高度: 4.46mm
正向二极管电压: 1.7V
尺寸: 10.35 x 10.27 x 4.46mm
最高工作温度: +150 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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