型号: TK17C65W,S1Q(S2
功能描述: MOSFET,N-channel,650V,17.3A,I2PAK
制造商: Toshiba
通道类型: N
最大连续漏极电流: 17.3 A
最大漏源电压: 650 V
最大漏源电阻值: 200 m0hms
最大栅阈值电压: 3.5V
最小栅阈值电压: 2.5V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: I2PAK (TO-262)
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 开关调节器
最大功率耗散: 165 W
正向二极管电压: 1.7V
尺寸: 10 x 4.5 x 10.4mm
每片芯片元件数目: 1
宽度: 4.5mm
系列: DTMOSIV
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 45 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 1800 pF @ 300 V
典型关断延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
高度: 10.4mm
最高工作温度: +150 °C
长度: 10mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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